I moduli G. Skill F3-16000CL9T-3GBPI proposti in kit da 3 Gbytes di capacità complessiva, sono certificati dal produttore per operare stabilmente a una frequenza di clock di 2000MHz, in abbinamento a voltaggio di alimentazione di 1.65V e timings pari a 9-9-9-24 -2T, con un incremento di 0,15v rispetto al voltaggio di alimentazione standard per memorie DDR3 di 1,50V.

Le memorie prevedono un profilo XMP, “Extreme Memory Profiles”, pertanto è indicato nella timings table l'impostazione a 1000 Mhz di clock con timings 9-9-9-24 e voltaggio di alimentazione corrispondente di 1.65V così come indicato sull'etichetta posta sul modulo memoria.

Dalla schermata di CPU-Z, l'SPD delle memorie è programmato con un profilo XMP (Extreme Memory Profiles) che consente al bios delle schede madri di impostare le memorie con i settaggi XMP DDR3-2000 come da specifica del costruttore garantendo una compatibilità pressoché totale con i bios delle schede madri in commercio.
XMP è l’acronimo di Extreme memory profile, questa sigla identifica una speciale configurazione, brevetta da Intel, che permette di far funzionare correttamente le memorie oltre le specifiche standard con profili di latenza e frequenza più spinte.
Il protocollo XMP si interfaccia direttamente al SPD (Serial Presence Detect) dei moduli di memoria , ovvero una piccola eprom che contiene tutti parametri di funzionamento dei moduli di memoria.
Grazie a questo protocollo, il bios della mainboard imposta i parametri di funzionamento in maniera automatica, preservando cosi ogni possibilità di errore nella configurazione dei moduli.

I moduli sono costruiti basandosi su chip da 128Mbit X 8 il che significa che ciascun chip ha 128Mbit di contenuto informativo e 8 linee di I/O, pertanto con 8 chip per modulo si costruisce la struttura del modulo 128Mbit X 64 ottenendo cosi un modulo single rank e single sided. Sono utilizzati 8 chip per modulo, tutti su un lato, consentendo così di raggiungere la densità richiesta da un modulo ad 1 GB (128Mbit X 8=1024MB).

Le ram sono di tipo 240-pin DIMM, Non-ECC.

Le ram, montano i chip SAMSUNG K4B1G0846D-HCF0.
Precisamente sono marchiate:
- SEC 846 HCF0
- K4B1G0846D

I chip Samsung K4B1G0846D-HCF0 utilizzano una nomenclatura “particolare” per identificare i propri prodotti. Soffermiamoci ad analizzare in dettaglio il significato della nomenclatura dei Samsung.


Samsung K4B1G0846D-HCF0:
- k = Modello di memoria.
- 4 = Tipo di ram – DRAM.
- B = DDR3 SDRAM.
- 1G = Quantità di ram; 1GB.
- 08 = X 8 bit.
- 4= 8 Banks.
- 6 = Interfaccia ( VDD, VDDQ) - SSTL (1.5V, 1.5V).
- D = Data revisione – 5 Gennaio 2008.
- H = Package – FBGA ( Lead – Free).
- C = Temperatura di funzionamento – 0°C – 85°C.
- F0 = Velocità di funzionamento – DDR3 2000 ( 1000MHZ @ CL=9, Trcd=9, Trp=9 ).

Per maggiori informazioni:

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/productListNonflexTable.do?fmly_id=103&sht_id=1
http://www.samsung.com/global/system/business/semiconductor/family/2008/12/12/414624ddr3_product_guide_december_08.pdf

Il PCB è a 8 strati è viene usato dalla maggior parte dei produttori di ram DDR3 ad alte prestazioni.